曝光方式

   所谓“曝光”是指原稿通过光学系统(包括曝光灯、反光策、反射镜、光闹及镜头

等》将光像投射在已充电敏化的光导体膜层上，并使充电过程中光导层上原为均匀分布的

电荷，因受到一定量级光能的作用，而使其局部表面的电位有所下降，形成为与原稿图

像相对应的由电荷组成的静电潜像.

   高压电Vil内阻电源的内阻(即高压发生器的内阻)，对于电晕电流会产生很明显的

影响.在设计各种电晕充电的电晕器时，其主要根据是光导体材料的性质和进行辞电复

印的整机要求.而设计高压电源时，应以电晕充电的要求作为依据，具体而言，应取决于

电晕充电电极和光导层表面之问的距离.即在负载固定的条件下，高压电源的空载电压和

内阻必须合理.否tI1，充电电流不足，光电导材料的最大灵敏度不能充分发挥和利用，静

电潜像的反差电位小.电压过高时，会造成击穿放电而损坏光导层.对于电源内阻，应考

虑使负载能获得最大功率作为条件，即应尽力做到使电源内阻和负载电阻相等的条件.

   为了提高静电复印的效率和实现高速化，光导体感光度的高低是具有决定作用的。

当光导体表面被充电以后，在光的照射下，光导层由于光的激励，生成空穴一电子对，

在电场的作用下，空穴与电子分别向不同方向迁移，移动时产生光电流，使得表面电

位衰减，这种衰减与曝光最的大小、时间的长短有关，曝光量大或曝光时间长的，生成

的光生自由载流子越多，则表面电位衰减得越快，反之则光生自由载流子就越少，表面

电位衰减得越慢.这种表面电位在光照下的衰减，称为“亮衰减”或“亮衰，，(参见图

2-2中的‘a-V:所示).不同的光电导材料在同样的光线照射下，表面电位的衰减程度

是不同的.这种不同的亮衰速度，就是光导体的感光灵敏度，或称感光度.