ST场效应管MOS管STF3NK80Z

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ST场效应管MOS管STF3NK80Z图1

ST场效应管MOS管STF3NK80Z

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产品介绍意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1500 V)、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面向高、低压MOSFET的工艺技术增强了功率处理能力,从而实现了高效解决方案。 产品的主要特性包括:? 击穿电压范围:-500 ~ 1500 V? 30多种封装选项,包括1-mm高表面贴装PowerFLAT? 8x8 HV? 为650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *区域值(0.029 ?、TO-247封装)? 改善了栅极电荷,降低了功耗,满足了当今’极具挑战性的效率要求? 面向所选产品线的本征快速体二极管在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内,意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。意法半导体的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列产品具有极低的栅电荷(Qg)和出色的输出电容Coss曲线,是谐振型电源(LLC转换器)的理想之选,同时还支持PFC、TTF或反激式硬开关拓扑。与上一代产品(MDmesh II)相比,它大幅降低了栅电荷和开关损耗。高dv/dt稳定性(50 V/ns)让器件即使出现了大电压瞬态(如AC电源线上的噪声和谐波)也能可靠运行。 STF3NK80Z产品属性STF3NK80ZN-CHANNEL 800V - 3.8 Ohm - 2.5A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH? Power MOSFET ? 活性 The SuperMESH? series is obtained through an extreme optimization of ST’s well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications.Such series complements ST full range of high voltage MOSFETs including revolutionary MDmesh? products. 下载 数据表 Key Features? Extremely high dv/dt capability? 100% avalanche tested? Gate charge minimized? Very low intrinsic capacitances? Very good manufacturing repeatability 其他说明深圳市华帝电子有限公司是一家专营世界各国名牌半导体集成电路(IC)贴片二三极管的大型供应商。公司具有多年的销售管理经验,专业配套各种电子元器件,长期备有大量的现货库存。公司所销售产品均由原厂直接进口,原厂包装。保证品质符合原生产厂家技术质量检测标准。产品广泛应用于民用、工业、军工等电子产品领域。随着社会的发展趋势,公司领先为广大客户提供邮购服务,为企业节省宝贵的时间、车费,降低产品成本起到实际作用。公司以技术为依托、市场为导向,积累了丰富的经营经验,现已形成一套从“询价-订单-付款-发货-售后服务”的完整管理体系,同时和美、欧、日、韩及台湾等生产厂商及代理商建立了良好的合作关系,不断提高服务质量,因而得到广大用户的大力支持和高度信任!业务发展迅速,现已与全国各地多家贸易商,厂家,科研所,高等院校等建立长期友好的合作关系。公司一惯坚持:“质量第一、价格合理、交货快捷、服务至上、凝聚客户”的发展理念和宗旨,向企业提供最满意的服务为已任,通过强大的市场服务网络体系向企业提供规范化、专业化、多元化、全方位的优质服务。交易说明广东客户公司支持代收货款,其他客户支持汇款后发货。或者对公帐户汇款和淘宝支付(淘宝号:ii5ii)。http://huadidz.taobao.com/
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