碳化硅元件在连续式窑炉与间歇式窑炉中,前者的寿命较长。这是因为元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,长时间使用使二氧化硅皮膜增加,阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点(270℃)附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动,所以反复破二氧化硅薄膜,加速氧化。因此炉温经常降至室温时会急剧增加电阻,导致元件使用寿命缩短。
碳化硅元件在连续式窑炉与间歇式窑炉中,前者的寿命较长。这是因为元件在使用中表面氧化生成二氧化硅薄膜,长时间使用使二氧化硅皮膜增加,阻值也随之增加。二氧化硅薄膜在结晶临界点(270℃)附近发生异常膨胀、收缩。因在间歇式窑炉中间断使用总在此温度上下浮动,所以反复破二氧化硅薄膜,加速氧化。因此炉温经常降至室温时会急剧增加电阻,导致元件使用寿命缩短。