合电容的容量一般较大,可能是10uf或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输
入信号中的干扰作为滤除对象,而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象,防止干扰信号返回电源。这应该是他们的
本质区别。
(3)滤波 从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1uf的电容大多为电解
电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容
,这里大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高阻低,通高频阴低频。电容越大低频越容易通过。具体用
在滤波中,大电容(1000uf)滤低频,小电容(20pf)滤调频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水溏”。由于电容的
两端电压不会突变,由此可知,信号频率越高则衰减越大。可很形象的说电容像个水塘,不因几滴水的加入或蒸发而
引起水量的变化。
它把电容的变动转化为电流的变化,频率越高,峰值电流就越大,从而缓冲了电压。滤波就是充电,放电的过程。
(4)储能
储能型电容器通过整流器收集电荷,并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40-450VDC,
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电容值在220-150 000UF之间的铝电解电容(如EPCOS公司的B43504或B43505)是较为常用的。根据不同的电源要求,
器件有时会采用串联,并联或其组合的形式,对于功率级超过10KW的电源,通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器
。
一般都知道NPO材质贴片电容比X7R材质贵但是优点在哪里缺不知道以下由我司用NPO材质与X7R材质对比下。
简单的说就是NPO材质不会随时间,温度的变化而变化,X7R材质就会,NOP调频性能好,适用于高频电路。
详细:
NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷,钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55°C到+125°C时容量变化为0±30ppm/°C,电容是随
频率的变化小于±0.3△C。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%。
NPO(COG)多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容
COG(Chip On Glass)即芯片被直接绑定在玻璃上。这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积,且易于大批量生产,适
用于消费类电子产品的LCD,如:手机,PDA等便携式产品,这种安装方式,在IC生产商的推动下,将会是今后IC志LCD
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10nf
电压
250V
尺寸
4.6*3.2
的主要连接方式。
相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形
式不同其电容和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选