C = 2500 (2.54)(2.54)/11.31 (.1422) = 10,028 pF.

As is evident from the above relationship of capacitance to geometry, greater capacitance can be achieved by increasing the electrode area while decreasing the dielectric thickness. As it is physically impractical to increase area in a single plate device with thinner dielectric, the concept of stacking capacitors in a parallel array was conceived to produce a physically sound device with more capacitance per unit volume, as illustrated in below Figure.

opposing electrodes。

如何理解电容器的容量老化   联 系欧阳免费寄样15217057671免 费索样

铁电体陶瓷电容器的容量和介质损耗会展现出随时间延长而衰 减的趋势。这种被称为老化的现象是可逆的，其产生的原因在于铁电 体晶体结构随温度而变化。

铁电介质以钛酸钡（BaTiO3)为主要成分，加入一定的氧化物以 改变材料晶体惯态和对称性，产生出铁电畴。在居里点（120°C)附 近，BaTiO3晶体结构由四方相转变为立方相，自发极化不再发生。 而当冷却通过居里点时，材料晶体结构又重新由立方相转变为四方 相，其点阵结构中不存在对称中心。Ti4+离子可以占据两个非对称位 置中的一个，从而导致永久性电偶极。由于相邻晶胞相互作用的影响 足以建立起极化畴，因此这些电偶极是自发产生和略微有序的。平行 极化畴是随机取向的（在没有外加电场作用的情况下），给系统提供 应变能。而应变能的松弛正是材料介电常数老化的原因，具有下列时 间关系：

K=K0-mloht

这里K =任意时间t处的介电常数 K0 =时间t0 (t0 < t)处的介电常数 m =衰减速率