CVD（G）系列真空高温管式炉专门设计用于高温CVD工艺,如ZnO纳米结构的可控生长、氮化硅渡膜、陶瓷基片导电率测试、陶瓷电容器（MLCC）气氛烧结等等。 窑炉采用氧化铝纤维制品隔热、保温，国产优质硅钼棒加热，优质刚玉管炉膛, 系统可预抽真空，气体采用浮子流量计控制。进口单回路智能温度控制仪控制，设备具有温度均匀、控制稳定、升温速度快、节能、使用温度高、寿命长等特点，是理想的科研设备。
一、 技术指标：
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设 备 型 号 |
NT-CVD(G)-08/50/1 |
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温区最高温度 |
1650℃；(最长恒温时间：≥10小时)；常用温度：1600℃ (最长恒温时间：≥100小时) |
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加热有效容积 |
Φ72（内经）×500mm;恒温区尺寸：Φ72（内经）×250mm |
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炉管实际尺寸 |
Φ80（外径）×1400mm （国产优质刚玉管） |
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炉 膛 材 料 |
氧化铝纤维制品 |
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控制温区点数 |
1个，1支B分度热偶 |
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设备温场温差 |
±1℃ ，日本岛电进口40段程序控制仪表(1只) |
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加 热 元 件 |
优质硅钼棒 |
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最大加热功率 |
12Kw |
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保 温 功 率 |
5kw |
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最大升温速率 |
3℃∽10℃/min; |
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最大降温速率 |
3℃∽7℃/min |
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温度均匀性 |
±3℃(有效范围：Φ72×250mm) |
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气路配件材料 |
气路配件材料，端头不锈钢发兰密封， 一路气体采用浮子流量计控制， 所有管道和阀门采用不锈钢元件 |
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极 限 真 空 |
≤10Pa（常温） ,一级机械泵（配电磁阀）。 |
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压升率 |
≤5Pa/h |
二、
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；，
。
：
1000时可抽真空，能通保护氮气
外型参考尺寸 1250（L）×1650（H）×650（D）mm
输入动力电源 单相电源，50HZ ，220V±10%；10KW
炉体表面温升 ≤45℃
