意法半导体’的MOSFET产品采用先进的封装，具有很宽的击穿电压范围（-500 ~ 1500 V）、低栅极电荷和低导通电阻。 意法半导体’面向高、低压MOSFET的工艺技术增强了功率处理能力，从而实现了高效解决方案。 产品的主要特性包括： 击穿电压范围：-500 ~ 1500 V 30多种封装选项，包括1-mm高表面贴装PowerFLAT? 8x8 HV 为650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *区域值（0.029 ?、TO-247封装） 改善了栅极电荷，降低了功耗，满足了当今’极具挑战性的效率要求 面向所选产品线的本征快速体二极管 在各个支持负载点、电信DC-DC转换器、PFC、开关模式电源和汽车设备等应用的电压范围内，意法半导体都有符合您设计要求的MOSFET。 意法半导体的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列产品具有极低的栅电荷（Qg）和出色的输出电容Coss曲线，是谐振型电源（LLC转换器）的理想之选，同时还支持PFC、TTF或反激式硬开关拓扑。与上一代产品（MDmesh II）相比，它大幅降低了栅电荷和开关损耗。高dv/dt稳定性（50 V/ns）让器件即使出现了大电压瞬态（如AC电源线上的噪声和谐波）也能可靠运行。 STF11N65K3 N-channel 650 V, 0.765 Ohm, 11 A, SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package 活性 This device is an N-channel Zener-protected SuperMESH3? Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH? technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH? layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications. 下载 数据表 Key Features 100% avalanche tested Extremely high dv/dt capability Gate charge minimized Very low intrinsic capacitances Improved diode reverse recovery characteristics Zener-protected