英飞凌IGBT模块

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英飞凌IGBT模块图1

英飞凌IGBT模块

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2015-10-14 15:02480询价
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产品详情

FF150R17KE4

 

技术参数:

• Ic(A),Tc=80℃          150

• Vce(sat),Max(V)        2.3

• Ton(us)                0.31

• Toff(us)               0.95

• Rth(j-c),K/W           0.135

• Pc(W)                  1100

• 封装                  62mm

• 电路结构               半桥

 

性能概要:

• 提高工作温度T(vj op)

• 无可比拟的耐用性

• V(CESAT)具有正温度系数

• 低V(CESAT)

• 4KV AC 1分钟绝缘

• CTI>400

• 高爬电距离和电气间隙

• 隔离底板

• 标准封装

 

优点:

• 灵活性

• 最佳的电气性能

• 最高的可靠性

 

目标应用:

• 电机控制和驱动

• 风能系统解决方案

高能效组件和子系统的系统的高可靠性

• 太阳能系统解决方案

对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品

• 牵引


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