3M 线缆
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产品描述:3302/26
因此，实际上“尖峰”中的电场有驱赶电子的作用，即形成耗尽层；“凹口”中的电场有驱赶 空穴、积累电子的作用，在条件合适时，即可形成电子 积累层（即表面导电沟道）。如果“凹口” 势阱的深度足够大，则其中的电子就只能在势阱中沿着平面的各个方向运动（即紧贴着异质结界面运动），即为二维运动的电子；
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调制掺杂异质结中的二维电子气具有许多重要的性质。由于 势阱中的二维电子气是处在 本征半导体一边，而该处不存在电离杂质中心的散射作用，因此，这些二维电子气沿着平面方向运动的迁移率将非常高（特别是在较低温度下、 晶格振动减弱时），故又称这些电子为 高迁移率二维电子气。性能优良的超高频、超高速场效应晶体管—— HEMT（又称为 MODFET），就是利用 调制掺杂异质结 势阱（沟道）中的高迁移率二维电子气来工作的。
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一般半导体材料的能隙约为1至3电子伏特，通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，
