贴片电容

全称：积层贴片陶瓷电容。在电路板中用C表示，英文缩写：MLCC。贴片电容是目前用量比较大的被动元件之一。

它主要是容纳和释放电荷的电子元器件。其基本工作原理就是充电放电，整流、震荡以及其他作用。常应用于电源电路，实现旁路、去耦、滤波和储能的做用。

贴片电容有分NOP、X7R、X5R、Y5V等介质，不同介质它们特性不一样，在相同的体积下由于介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据其在电路中作用不同来选择不同的电容器

贴片电容类型：一般通用型、超小型、高压、软端电极、安规、低感值、串连排容和高频电容

1）旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。 这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2）去耦

去耦，又称解耦。 从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候，电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感，会产生反弹），这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。

将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。

3）滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容通低频，小电容通高频。电容的作用就是通高阻低，通高频阻低频。电容越大低频越容易通过。具体用在滤波中,大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4）储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器（如EPCOS 公司的B43504 或B43505）是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式，对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

电容量(capacitance)是用来表示电容器能储蓄电荷的能力(或容量)。各种电容器，因导体的大小体形状体材质及板间距离与介质种类等因素的 不同而有不一样的电容量，但所能储存的电荷量Q与其电位V系成正比，即 Q=CV 式中的比例常数C即为电容器之电容量，简称电容。 C=Q/V 电容的单位为「库能/伏特」，为了纪念科学家法拉第(Michael Faraday l791～1867，英)对电学的伟大贡献，将1库仑/伏特的电容称为1法拉(farad) ，简称法，单位记号为F或f。在实用上，法拉之单位常嫌过大，例如一个球体若要1法拉的电容，轴向电容则半径必须为9*10e9公尺!因此常以微法 (μF)或微微法(μμF或pF)轴向电容来表示电容值的大小。