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  • 英飞凌IGBT品牌
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FF150R12KS4

 

技术参数:

• Ic(A),Tc=80℃        150

 Vce(sat),Max(V)        3.7

 Ton(us)               0.11

 Toff(us)               0.55

 Rth(j-c),K/W        0.1

 Pc(W)               1250

• 封装                  62mm

• 电路结构               半桥

 

性能概要:

•高短路能力

•自我限制短路电流

•低开关损耗

•无可比拟的耐用性

•V CESAT具有正温度系数

CTI>400

 

优点:

• 灵活性

• 最佳的电气性能

• 最高的可靠性

 

目标应用:

• 电机控制和驱动

• 太阳能系统解决方案

对于完整的太阳能电力解决方案的主导产品

• 不间断电源(UPS)

• 商业,农业和工程车辆(CAV)

• 感应加热

• 工业焊接

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