2A75HB12C1U
技术参数：
• Ic(A),Tc=80℃ 75
• Vce(sat),Max(V) -
• Ton(us) -
• Toff(us) -
• Rth(j-c),K/W -
• Pc(W) -
• 封装 34mm
电气特性：
• 低开关损耗
• T（VJ OP）=125℃
• 超快速IGBT芯片
机械特性：
• 铜基板
• 标准封装
目标应用：
• 工业焊机
