Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有：
串口：256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP
并口（*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA
MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
并口（*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA
如有需要请随时和我们联系.
我们原厂供货，价格&交期较有优势.
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Coco Lee(李女士)
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我司产品可完全替代FRAM(铁电存储器）,NV-SRAM,MRAM,如有需要请随时和我们联系.
如以下型号：CY14B064I CY14ME064 CY14B101KA CY14B108NFM23MLD16 FM25H20 FM1808 FM18W08
