GDAS51 射频导纳物位开关
一、产品原理及应用
古大GDAS51 射频导纳物位开关的探测极棒与金属容器罐壁之间具有电容特性，由此构成一个电桥电路，振荡电路产生的射频振荡信号加在这个电桥上。当被测介质未接触到探测极棒时，电桥处于平衡状态，没有输出信号，而当被测介质填充到探测极棒与罐壁之间时，由于被测介质的电特性与空气不同，会引起电桥电路的不平衡，从而产生输出信号。可应用于液体、固体等复杂过程条件的测量。
二、产品参数
探测组件材料： PPS/不锈钢 316L 过程温度： -50～150°C
过程压力： -1.0～64bar
信号输出： 一个单刀双掷继电器，
接点容量 250V/5A
过程连接： G¾A
长度： 0.4～3m; 0.3～10m
供电方式： 24V DC±10% 220V DC±10%
三、 GDAS51系列射频导纳物位开关选型表
GDAS51 |
选型代码 |
说 明 |
仪表种类 |
A |
高精度、高稳定性 |
B |
高稳定性 |
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C |
中等普通工业用 |
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D |
一般工业用 |
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供电电压 |
A |
24V |
B |
220V |
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电缆进线 |
M |
M20×1.5 |
N |
½NPT |
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T1 |
特殊要求 |
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现场显示 |
A |
带 |
X |
不带 |
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T2 |
特殊要求 |
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带散热片/过程温度 |
A |
带/-40 C....+150 °C |
X |
不带/-40 C....+80 °C |
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T3 |
特殊要求 |
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长度（mm） |
A |
四位数字 |
T4 |
特殊要求 |
