产品简介
半导体功率器件测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。
产品特点
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高电压:支持高达3KV高电压测试;
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大电流:支持高达4KA大电流测试;
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高精度:支持uΩ级电阻、pA级电流、uV级精准测量;
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丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
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配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
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数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
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模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
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可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
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可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;
技术指标
PMST系统配置 |
关键参数 |
备注 |
P系列 |
PW高达30V/10A、300V/1A |
栅极特性测试 |
CW高达300V/0.1A、30V/1A |
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最小脉冲宽度200uS |
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HCP系列 |
PW高达30V/100A |
IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试 |
CW高达10V/30A |
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最小分辨率30uV/10pA |
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最小脉冲宽度80uS |
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HCPL系列 |
单台PW高达12V/1000A,可多台并联 |
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最小脉冲宽度50uS |
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E系列 |
CW高达3000V/100mA |
IGBT击穿电压测试 |
最小分辨率10mV/100pA |
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测量精度 0.1% |
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电桥 |
频率范围:20Hz~1MHz |
IGBT各级间电容测试 |
HVP系列提供0~400V直流偏置电压 |
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预置偏置电阻100kΩ |
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矩阵开关 |
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电路切换及源表切换 |
主机 |
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测试夹具 |
根据器件封装形式定制 |
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产品应用
功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;
以上是关于半导体功率器件测试系统的基本信息,更多有关半导体功率器件测试系统的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六
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