半导体功率器件测试系统

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半导体功率器件测试系统图1

半导体功率器件测试系统

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产品详情

产品简介

半导体功率器件测试系统集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFETBJTIGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。

普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。

 

产品特点

PMST系统配置

关键参数

备注

P系列
脉冲源表

PW高达30V/10A、300V/1A

栅极特性测试

CW高达300V/0.1A、30V/1A

最小脉冲宽度200uS

HCP系列
大电流脉冲源表

PW高达30V/100A

IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试

CW高达10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脉冲宽度80uS

HCPL系列
高电流脉冲电流源

单台PW高达12V/1000A,可多台并联

最小脉冲宽度50uS

E系列
高电压源测单元

CW高达3000V/100mA

IGBT击穿电压测试

最小分辨率10mV/100pA

测量精度 0.1%

电桥

频率范围:20Hz~1MHz

IGBT各级间电容测试

HVP系列提供0~400V直流偏置电压
S系列提供0~30V直流偏置电压

预置偏置电阻100kΩ

矩阵开关

/

电路切换及源表切换

主机

/


测试夹具

根据器件封装形式定制


 

产品应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBTSICGaN;


 以上是关于半导体功率器件测试系统的基本信息,更多有关半导体功率器件测试系统的信息找武汉生产厂家普赛斯仪表一八一四零六六三四七六

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