OH12AF锑化铟(InSb)霍尔元件
概述
型号:OH12AF 工作温度:-40~120℃ 封装:SOT143 包装:3000只/盘
锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。
典型应用
检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关)
检测磁场(如无接触电流传感器等)
在PCB板上的焊接条件
不要急剧的升温或者冷却
推荐焊接温度为220~230℃ 时间 10~15秒。
概述
型号:OH12AF 工作温度:-40~120℃ 封装:SOT143 包装:3000只/盘
锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。
典型应用
检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关)
检测磁场(如无接触电流传感器等)
在PCB板上的焊接条件
不要急剧的升温或者冷却
推荐焊接温度为220~230℃ 时间 10~15秒。
广东省深圳市 鹏博士长城宽带网友 2024-12-17 11:49 用Win10电脑在谷歌浏览器上访问了本页
河北省石家庄市网友 2024-09-06 10:12 用安卓手机在Safari上访问了本页
河北省张家口市网友 2024-08-16 02:08 用安卓手机在Safari上访问了本页