OH12AF锑化铟(InSb)霍

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OH12AF锑化铟(InSb)霍

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OH12AF锑化铟(InSb)霍尔元件

概述

型号OH12AF  工作温度-40120   封装SOT143   包装3000/

 

锑化铟(InSb)霍尔元件是用化合物半导体材料锑化铟制成,以霍尔效应为工作原理,可将磁场强度信号线性的转变成电压信号。

 

典型应用

检测磁性物质的旋转或者位置(用在无刷直流电机,无触点开关)

检测磁场(如无接触电流传感器等

 

PCB板上的焊接条件

不要急剧的升温或者冷却

推荐焊接温度为220230 时间 1015秒。


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