KR905P代替WPM1481，FDMA905P----封装DFN2X2-6L，P沟道。

特征、相关参数：

VDS = -12V,VGS=±8，ID = -15A  

RDS(ON) <15mΩ @ VGS=-4.5V ；

RDS(ON) <20mΩ @ VGS=-2.5V ；

RDS(ON) <45mΩ @ VGS=-1.8V ；

RDS(ON) <80mΩ @ VGS=-1.5V 。

Asvanced trench MOSFET process technology  Ultra low on-resistance with low gate charge  New Thermally Enhanced DFN2X2-6L Package

Application：

PWM applications Load switch battery charge in cellular handset