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特点
绝缘衬底
 高隔离电压（“2500V型）
鈭优良的热传递
鈭温度升高和权力
循环能力
  艾赛斯先进张：MOS工艺
  低栅极电荷和电容
鈭容易驾驶
鈭更快的开关
  低RDS（ON）
  很低的插入电感“（<2nH）
  无铍氧化物（氧化铍）或其他
有害物质
 
优势
  高性能射频张：MOSTM
  优化的RF和高速
切换到100MHz的频率
  共同的来源射频包
  易于安装鈥拢Ø绝缘子需要