13798240422 何翔先生 

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mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体

无锡华晶600V/650V系列MOS管（电源专属）：

1N60，2N60，4N60，4N65，5N60，6N60，7N60(日光灯，球泡灯)

8N60，10N60，12N60，20N60，2N65，8N65，10N65（开关电源系列）

1N60，2N60，4N60主要特性参数Features：

Fast Switching

Low ON Resistance(Rdson≤15Ω)

Low Gate Charge (Typical Data:5.0nC)

Low Reverse transfer capacitances(Typical:2.7pF)

100% Single Pulse avalanche energy Test

1.华晶600V高压系列的漏源击穿电压BVDS=600V：在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS 

2.华晶最大稳定漏源电流Id根据型号&封装的芯片大小有：0.8A，1A，1.2A, 1.5A, 2A

3.开启电压（又称阈值电压）Vgs（th）：华晶N沟道增强型MOS管，通过工艺上的改进，Vgs（th）约为2-4V

源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压

4.导通电阻RON ：对华晶的NMOS管而言，RON的数值9-12Ω之间

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数，

5.华晶600V高压系列的栅源击穿电压BVGS=+/-20V，+/-30V

在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

6.低频跨导gm :0.7S（1N60），1.0S(2N60): 栅源电压对漏极电流的控制能力很强，MOS管放大能力很好

在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导