产品特点：
• 超低功耗，待机电流仅为0.25uA
• 静态随机存储器
• Single C/S
• Process Technology : 0.18μm Full CMOS
• Organization : 64K x 16 bit
• Power Supply Voltage : 2.7V ~ 3.6V
• Low Data Retention Voltage : 1.5V(Min.)
• Three state output and TTL Compatible
• Package Type : 48-FPBGA, 44-TSOP2
产品系列:
| Part Number (型号） | Operating Temperature （操作温度） |
Vcc Range （电压范围） |
Speed （速度） |
Power Dissipation（功耗） | PKG Type （封装形式） |
|
| (ISB1, Typ.)待机电流 | (ICC1.Max.) 最大工作电流 |
|||||
| EM611FV16 | Industrial (-40 ~ 85oC) |
2.7~3.6V | 45/55/70ns | 0.25 µA | 3mA | KGD（裸片） |
| EM611FV16-xxLF | 48-FPBGA | |||||
| EM611FV16U-xxLF | 44-TSOP2 | |||||
备注：型号中的“xx”表示速度。
产品PIN脚定义:
英尚国际是EMLSI中国区授权指定一级代理商,同时我们也是专业的静态随机存储器产品及RAM方案提供商.
Ramsun is the authorized agent as designated by EMLSI.Also we're a professional supplier of the Satic Random Access Ram and RAM Solution.
公司主要产品有：
1,Low power SRAM (低功耗静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.
2,Serial SRAM(串行静态随机存储器)1Mbit~8Mbit.
3,PSRAM[Pseudo SRAM,UtRAM] (虚拟静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.
4,Cellular RAM(伪静态随机存储器)4Mbit~64Mbit.
5,Die(祼片)1Mbit~64Mbit.
6.NvSRAM,F-RAM,MRAM(非易失性存储器)256Kbit~1Gbit
7.MCP 512Mbit+256Mbit,1Gbit+512Mbit，64Mbit+32Mbit,128Mbit+64Mbit,32Mbit+16Mbit
8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit~512Mbit
完全兼容Lyontek、Samsung、ISSI、Cypress SRAM ，大量降低成本。
如有需要请随时和我们联系.
我们原厂供货，价格&交期较有优势.
谢谢！
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Coco Lee(李女士)
Ramsun International Limited.
英尚国际有限公司
手机：13795330227
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