产品特点（Product Features):
• Fast 35 ns Read/Write Cycle
• SRAM Compatible Timing Uses Existing SRAM Controllers Without Redesign
• Unlimited Read & Write Endurance
• Data Always Non-volatile for >20-years at Temperature
• One Memory Replaces Flash, SRAM, EEPROM and BBRAM in System for Simpler, More Efficient Design
• Replace battery-backed SRAM solutions with MRAM to eliminate battery assembly, reliability, and liability issues
• 3.3 Volt Power Supply
• Automatic Data Protection on Power Loss
• Commercial, Industrial, and Automotive Temperatures
• RoHS-Compliant SRAM-compatible TSOPII Package
• RoHS-Compliant SRAM-compatible BGA Package Shrinks Board Area By Three Times
产品系列（Product Family）：
Part Number （型号） |
Description （描述） |
OperatingTemperature (操作温度） |
| MR2560A08BYS35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP | Commercial |
| MR2560A08BYS35R | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R | Commercial |
| MR2560A08BMA35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA | Commercial |
| MR2560A08BCYS35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP | Industrial |
| MR2560A08BCYS35R | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R | Industrial |
| MR2560A08BCMA35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA | Industrial |
| MR2560A08BMYS35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP | Automotive |
| MR2560A08BMYS35R | 3.3 V 32Kx8 MRAM 44-TSOP T&R | Automotive |
| MR2560A08BMMA35 | 3.3 V 32Kx8 MRAM 48-BGA | Automotive |
产品pin脚定义（Pin Diagrams ）：
美国Everspin半导体中国区指定代理 MRAM(非易失性存储器）
我司是美国Everspin半导体中国区指定代理.
Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，
来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材
料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量
我司产品可完全替代FRAM(铁电存储器）,NV-SRAM,MRAM,如有需要请随时和我们联系.
如以下型号：
CY14V101LA
CY14C101I CY14B256Q CY14B104K
FM23MLD16 FM25H20 FM1808 FM18W08
FM28V020 FM25L512 FM24W256 FM24V01
FM24V02
