三星DDR3K4S640832N

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三星DDR3K4S640832N图1

三星DDR3K4S640832N

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2015-07-14 14:2960询价
参数
  • Samsung品牌
  • 10片起订
  • 宝山产地
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可替代Lyontek、Samsung、ISSI、Cypress HYNIX  Etron Winbond SDRAM/DDR等产品。
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Coco Lee(李女士)
Ramsun International Limited.
英尚国际有限公司
手机:13795330227
QQ:778240593
Skype:coco-ramsun

华芯(SinoChip)
DDR2 & DDR3 SDRAM

512Mbit
x16 HXB18T512160AF(L)-25E 1.8V DDR2-800E 6-6-6 400 C FBGA-84
x16 HXB18T512160AF(L)-25D 1.8V DDR2-800D 5-5-5 400 C FBGA-84
x16 HXB18T512160AF(L)-3D 1.8V DDR2-667D 5-5-5 333 C FBGA-84
1Gbit
×8 HXB18T1G800AF(L)-25E 1.8V DDR2-800E 6-6-6 400 C TFBGA-60
×16 HXB18T1G160AF(L)-25E 1.8V DDR2-800E 6-6-6 400 C TFBGA-84
×16 HXB18T1G160AF(L)-3D 1.8V DDR2-667D 5-5-5 333 C TFBGA-84
2Gbit
×4 HXB18T2G400AF(L)-19F 1.8V DDR2-1066F 7-7-7 533 C TFBGA-60
×8 HXB18T2G800AF(L)-19F 1.8V DDR2-1066F 7-7-7 533 C TFBGA-60
x16 HXB18T2G160AF(L)-19F 1.8V DDR2-1066F 7-7-7 533 C TFBGA-84
x16 HXI18T2G160AF(L)-3D 1.8V DDR2-667D 5-5-5 333 I TFBGA-84
DDR3 SDRAM
1Gbit
x8 HXB(I)15H1G800AF–19F 1.5V DDR3–1066F 7–7–7 533 C TFBGA-78
x8 HXI15H1G800AF–15G 1.5V DDR3–1333G 8–8–8 667 I TFBGA-78
x8 HXI15H1G800AF–15H 1.5V DDR3–1333H 9–9–9 667 I TFBGA-78

可替代Lyontek、Samsung、ISSI、Cypress HYNIX  Etron Winbond SDRAM/DDR等产品。

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