现货供应8寸156多晶硅片
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156*156多晶硅片规格标准：
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生长方法 |
Growth Method |
DSS |
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导电型号 |
Conductive Type |
P |
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掺杂剂 |
Dopant |
B |
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电阻率 |
Resistivity（ρ） |
1.0 -3.0Ω·cm |
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少子寿命 |
Minority Carrier Lifetime |
≥2μs(brick 硅块) |
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氧含量 |
Oxygen Content(oi) |
≤1.0*1018 at/cm3 |
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碳含量 |
Carbon Content(c) |
≤1.0*1017 at/cm3 |
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硅片尺寸 |
Size |
156*156±0.5mm |
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倒角线角度 |
Bebel Edge Angle |
45°± 10° |
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倒角线宽度 |
Bebel Edge Width |
0.5-2mm |
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硅片厚度 |
Thickness |
200±20 μm |
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总厚度变化 |
TTV |
≤30μm |
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线痕 |
Saw Mark |
≤15μm |
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弯曲度/翘曲度 |
Bow/Warp |
≤75μm |
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崩边 |
chip |
深度<0.3mm；长度<0.5mm。 |
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微裂纹 |
Crack |
不允许 |
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外观 |
Appearance |
目视检查无污点,缺口,孔洞和裂纹 |
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晶粒尺寸 |
Crystal Grain |
≥1cm2 |
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1. 类型：P型；2. 尺寸：156×156±0.5mm；3. 厚度：200±20 us；4. 电阻：0.8~3Ω·cm
5. 少子寿命：≥ 2us；6. 损伤层：无；7. TTV：≤50um；8. 垂直度：90°±0.3°
9. 翘角度：≤ 40um；10. 氧含量：＜4×10 17cm－3 11. 碳含量：＜2×1018 cm－3
12. 表面完整光洁，无油污等水痕现象，无裂纹，***及明显的切割线。
