一、设备主要技术指标

1.1、激光器：半导体激光器

1.2、泵浦方式：半导体泵浦

1.3、激光波长：1064 nm

1.4、激光模式：低阶模

1.5、激光输出最大功率：50 W

1.6、激光调制方式：声光调制

1.7、激光脉冲频率：200Hz～50kHz连续可调

1.8、最大划片速度：120 mm/s

1.9、划片线宽：50 um

1.10、划片厚度：500 um

1.11、加工范围：320×320 mm

1.12、工作台重复精度：±10μm

1.13、恒温冷却系统温控精度±0.5℃

1.14、平均正常运行时间（Average）93%

1.15、使用电源：380V（或220V）/ 50 Hz / 3kVA